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AO3414-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，适用于20V电压系统，具备2.3A连续电流处理能力。特别设计用于电池管理、电源开关及高效能电子设备中，具有出色的低导通电阻和快速切换性能，实现卓越的功率转换与控制效能。
- 商品型号
- AO3414-HXY
- 商品编号
- C6285731
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033567克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 高速开关
- 栅极电荷小：QSW = 52 nC（典型值）
- 输出电荷小：Qoss = 210 nC（典型值）
- 漏源导通电阻低：RDS(ON) = 1.97 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 漏电流低：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 80 V）
- 增强型：Vth = 2.5 至 3.5 V（VDS = 10 V，ID = 2.2 mA）
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器
- 电机驱动器
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