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IRLML2402TRPBF-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压20V，可承载2.3A连续电流，适用于各类低电压、高效率电子应用。具备低导通电阻及快速开关特性，广泛应用于充电器、电源管理及小型化设备的功率控制，提升系统效能。
- 商品型号
- IRLML2402TRPBF-HXY
- 商品编号
- C6285733
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDN337N采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 5A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 40mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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