FDV303N-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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描述
该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，适用于20V电压系统，额定电流为2.3A。拥有出色的低导通电阻和快速开关性能，特别适合应用于充电器、电源管理模块以及各类高效电子设备中，实现精确、节能的功率控制与转换。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
FDV303N-HXY商品编号
C6285730商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.0336克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 55mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V |
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