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FDV303N-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，适用于20V电压系统，额定电流为2.3A。拥有出色的低导通电阻和快速开关性能，特别适合应用于充电器、电源管理模块以及各类高效电子设备中，实现精确、节能的功率控制与转换。
- 商品型号
- FDV303N-HXY
- 商品编号
- C6285730
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0336克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- VDS = 20V,ID = 2.3A
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 60mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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