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NTR4101PT1G-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 该款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，适用于20V电压系统，额定电流高达3A。具备优越的低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效、稳定的功率控制功能。
- 商品型号
- NTR4101PT1G-HXY
- 商品编号
- C6285729
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V,3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
IRLM6244TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V，ID = 6.0 A
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 27 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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