NTR4101PT1G-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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描述
该款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，适用于20V电压系统，额定电流高达3A。具备优越的低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效、稳定的功率控制功能。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
NTR4101PT1G-HXY商品编号
C6285729商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.036667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 110mΩ@4.5V,3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V |
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