NDS331N-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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描述
该消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为20V电压系统设计，额定电流高达2.3A。器件具备低导通电阻和卓越开关性能，广泛应用在充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效、稳定的功率控制与管理。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
NDS331N-HXY商品编号
C6285732商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.033567克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 55mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V |
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