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HS6339
1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- 此款消费级P沟道MOSFET采用小型SOP-8封装，专为30V系统设计，提供高达12A的连续电流处理能力。具备优秀的开关性能与低导通电阻，广泛应用于电池保护、电源切换以及高功率负载控制场景，是现代电子产品实现高效能、稳定运行的理想选择。
- 商品型号
- HS6339
- 商品编号
- C5451634
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HS2290采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40 V，ID = 12 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 16 mΩ
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 24 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源