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HD6362
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，峰值电流高达100A，专为大电流、高效率电源转换和电机驱动等应用设计，提供卓越的开关性能与低损耗特性，是高性能消费级电子设备的理想组件。
- 商品型号
- HD6362
- 商品编号
- C5451644
- 商品封装
- TO252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.465克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
HN6373采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- VDS = 30 V
- ID = 100 A
- RDS(ON) < 5 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源