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HD7258
1个N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- 该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压100V，峰值电流高达30A，专为高功率电子设备设计，应用于电源转换、电机驱动等场合，提供强大且高效的开关控制与卓越的功率管理功能。
- 商品型号
- HD7258
- 商品编号
- C5451647
- 商品封装
- TO252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.436克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 52.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.387nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些双P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- -30V、-5.5A，RDS(ON) = 40mΩ（VGS = -10V时）
- 快速开关
- 有绿色环保器件可供选择
- 适用于-4.5V栅极驱动应用
应用领域
- 笔记本电脑-负载开关-电池保护-手持仪器