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HS1195
2个P沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- 这款消费级P+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为30V系统设计，具备双P沟道结构以实现高效能正向导通。额定电流高达8.5A，适用于电池保护、电源切换等应用场景，凭借其出色的低导通电阻与快速开关性能，成为现代电子设备理想的高功率控制元件。
- 商品型号
- HS1195
- 商品编号
- C5452415
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.123克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOT7N65和AOTF7N65采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。 通过提供低 RDS(on)、Ciss 和 Crss，以及有保证的雪崩能力，这些器件可快速应用于新的和现有的离线电源设计。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -8.5A
- VGS = -10V时,RDS(ON) < 22mΩ
- VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 31mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- SOP - 8封装
- 双P沟道MOSFET