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HD6955
1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有60V高工作电压及20A稳定电流承载力。专为中高压环境下消费电子产品设计，实现卓越的电源转换效率与系统稳定性，是优化电路性能的理想半导体元件选择。
- 商品型号
- HD6955
- 商品编号
- C5451648
- 商品封装
- TO252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.442克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.46nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款新一代互补型MOSFET H桥的特点是在低栅极驱动下可实现低导通电阻。
商品特性
- VDS = -60 V,ID = -20 A
- 当VGS = -10 V时,RDS(ON) < 72 mΩ
- 当VGS = -4.5 V时,RDS(ON) < 100 mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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