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MMBZ6V8ALT1G
单向 4.5V 2.5A
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- 描述
- 该款SOT-23封装单向ESD静电防护二极管，专为精密接口提供卓越防静电保护。具有4.5V的额定反向工作电压VRWM和高达2.5A的峰值脉冲电流IPP能力，能够高效抑制过电压瞬变和静电放电效应，有效防止敏感电子组件受到损害。小体积设计，适用于空间有限的电路板布局，是I/O端口、数据线路的理想防护器件。
- 商品型号
- MMBZ6V8ALT1G
- 商品编号
- C5451655
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 4.5V | |
| 钳位电压 | 9.6V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 2.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 24W | |
| 击穿电压(VBR) | 6.8V | |
| 反向电流(Ir) | 500nA | |
| 通道数 | 双路 | |
| 类型 | ESD |
商品概述
MMBZ6V8ALT1G可保护敏感的半导体组件免受静电放电及其他电压瞬变事件造成的损坏或干扰。其出色的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间为暴露于静电放电的设计提供了同类的保护。该器件为设计人员提供了灵活性，可在不适用阵列的应用中保护两条单向线路。
商品特性
- SOT-23封装支持两种独立单向配置或一种双向配置。
- 工作峰值反向电压为4.5V。
- 标准齐纳击穿电压为6.8V。
- 峰值功率为24瓦 @ 1.0ms（单向）
- ESD等级：人体模型等级3B (>16kV)；机器模型等级C (>400V)。
- 等效于IEC61000-4-2等级4的ESD等级，接触放电 ±30kV。
- 低泄漏电流 < 5.0 μA。