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HS6334
N沟道 30V 8.5A
- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，连续电流高达15A。适用于中等功率的电源转换、负载控制及电池管理系统应用，具有出色的能效和空间利用率，为现代电子产品提供高效可靠的半导体解决方案。
- 商品型号
- HS6334
- 商品编号
- C5451635
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.182克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 583pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 77pF |