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HS6334
1个N沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，连续电流高达15A。适用于中等功率的电源转换、负载控制及电池管理系统应用，具有出色的能效和空间利用率，为现代电子产品提供高效可靠的半导体解决方案。
- 商品型号
- HS6334
- 商品编号
- C5451635
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.182克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HD6956采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 50A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 15mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源