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HN2199
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:20A
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描述
本款消费级N+P沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，集成双通道设计，额定电压40V，连续电流高达30A。专为高效电源转换、负载切换及电池管理系统打造，实现高集成度与卓越能效，满足现代电子设备的小型化需求。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HN2199商品编号
C5451642商品封装
DFN5x6-8L包装方式
编带
商品毛重
0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 42mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V |
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