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HN2199
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:20A
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- 描述
- 本款消费级N+P沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，集成双通道设计，额定电压40V，连续电流高达30A。专为高效电源转换、负载切换及电池管理系统打造，实现高集成度与卓越能效，满足现代电子设备的小型化需求。
- 商品型号
- HN2199
- 商品编号
- C5451642
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 10.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 593pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |