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HN6976
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 此款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，具备60V额定电压和30A连续电流处理能力。专为高效率电源转换、电机控制与电池管理系统设计，拥有出色的热性能及功率密度，是现代紧凑型电子设备的理想选择。
- 商品型号
- HN6976
- 商品编号
- C5451643
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.165克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HN2199采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40V，ID = 30A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 23mΩ
- VDS = -40V，ID = -20A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 42mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源