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HN6971
P沟道 60V 20A
- 描述
- 本款消费级P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，具有60V额定电压和20A连续电流处理能力。专为紧凑型、高效电源转换、负载开关控制及电池管理系统设计，实现卓越的空间利用率与能效表现。
- 商品型号
- HN6971
- 商品编号
- C5451641
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 585pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |