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HN2288
2个N沟道 耐压:30V 电流:30A
- 描述
- 本款消费级N+N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，具备双通道驱动能力，额定电压30V，连续电流高达30A。适用于高效电源转换、负载均衡和电池管理系统等应用场合，提供卓越的集成度与能效表现。
- 商品型号
- HN2288
- 商品编号
- C5451640
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.101克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.63nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF |