HN2194
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:14A
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描述
本款消费级N+P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，集成双通道驱动，额定电压30V，连续电流16A。专为高效、空间有限的电源转换、负载控制及电池管理系统设计，实现卓越的能效与紧凑布局，满足现代电子设备的多元化需求。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HN2194商品编号
C5451639商品封装
DFN3x3-8L包装方式
编带
商品毛重
0.109克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 30mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V |
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