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HN2194
N沟道+P沟道 30V 14A
- 描述
- 本款消费级N+P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，集成双通道驱动，额定电压30V，连续电流16A。专为高效、空间有限的电源转换、负载控制及电池管理系统设计，实现卓越的能效与紧凑布局，满足现代电子设备的多元化需求。
- 商品型号
- HN2194
- 商品编号
- C5451639
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.109克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A；14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 10.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC；9.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 416pF；930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF；115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF；148pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |