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HN2194
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:14A
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- 描述
- 本款消费级N+P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，集成双通道驱动，额定电压30V，连续电流16A。专为高效、空间有限的电源转换、负载控制及电池管理系统设计，实现卓越的能效与紧凑布局，满足现代电子设备的多元化需求。
- 商品型号
- HN2194
- 商品编号
- C5451639
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.109克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 10.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
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