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HS2198
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:7.2A
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- 描述
- 这款消费级N+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，具备40V额定电压和7.2A高连续电流处理能力。专为高效双向电源转换、电池管理系统设计，适用于多种消费电子产品。集成双极性通道实现正负电压控制，低导通电阻与卓越的开关性能相结合，确保系统稳定可靠且节能。
- 商品型号
- HS2198
- 商品编号
- C5451636
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.182克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.67W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 593pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
15N10采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V，漏极电流ID = 15A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 112 mΩ
应用领域
- 功率开关
- 直流-直流转换器