HN6373
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
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描述
这款消费级P沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装，额定电压30V，具备高达50A的连续电流处理能力。专为紧凑型、高功率应用设计，如电源转换、负载开关和电池管理系统，实现卓越的能效与空间利用率。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HN6373商品编号
C5451638商品封装
DFN3x3-8L包装方式
编带
商品毛重
0.113克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 13mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V |
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