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HN6373
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 这款消费级P沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装，额定电压30V，具备高达50A的连续电流处理能力。专为紧凑型、高功率应用设计，如电源转换、负载开关和电池管理系统，实现卓越的能效与空间利用率。
- 商品型号
- HN6373
- 商品编号
- C5451638
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.113克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.215nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 237pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AGM404A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON)，以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA Vcore
- 开关电源二次侧同步整流
- 负载点（POL）应用
- 无刷直流（BLDC）电机驱动器