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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.1mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET具有低导通电阻的特点。该器件适用于便携式设备的电源开关等应用。最适合单节锂离子电池应用。
商品特性
- 2.5 V驱动
- 2 kV静电放电人体模型（ESD HBM）
- 共漏极类型
- 带ESD二极管保护的栅极
- 无铅、无卤且符合RoHS标准
应用领域
- 单节锂离子电池充放电开关