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EFC2J013NUZTDG
2个N沟道
- 描述
- 此功率 MOSFET 导通电阻低。此器件适用于便携设备的电源开关等应用。最适合单体锂离子电池应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- EFC2J013NUZTDG
- 商品编号
- C605381
- 商品封装
- WLCSP-6(1.5x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 |
商品概述
这款功率MOSFET具有低导通电阻的特点。该器件适用于便携式设备的电源开关等应用。最适合单节锂离子电池应用。
商品特性
- 2.5 V驱动
- 2 kV人体模型(HBM)静电放电防护
- 共漏极类型
- 带ESD二极管保护的栅极
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,且符合RoHS标准
应用领域
-单节锂离子电池充放电开关