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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 357mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 60 | |
| 输入电阻 | 22kΩ | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的元件集成到单个器件中，从而省去了这些元件。在EMC2DXV5T1G系列中，两个互补的BRT器件封装在SOT - 553封装中，这种封装非常适合对电路板空间要求苛刻的低功耗表面贴装应用。
商品特性
- 简化电路设计
- 减少电路板空间
- 减少元件数量
- 适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用的NSV前缀；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些是无铅器件