NCV51511PDR2G

NCV51511是一款高端和低端栅极驱动IC，专为高压、高速驱动最高工作电压达80 V的MOSFET而设计。 NCV51511集成了一个驱动IC和一个自举二极管。该驱动IC具有低延迟时间和匹配的PWM输入传播延迟特性，进一步提升了器件性能。 高速双栅极驱动器旨在以半桥或同步降压配置驱动N沟道MOSFET的高端和低端。浮动高端驱动器能够在最高80 V的电源电压下工作。在双栅极驱动器中，高端和低端各有独立输入，可在应用中实现输入控制信号的最大灵活性。PWM输入信号（高电平）可以是3.3 V、5 V或高达VDD的逻辑输入，以涵盖所有可能的应用。用于高端驱动器偏置电源的自举二极管集成在芯片中。高端驱动器以开关节点（HS）为参考，该节点通常是高端MOSFET的源极引脚和低端MOSFET的漏极引脚。低端驱动器以VSS为参考，VSS通常为地。其功能包括输入级、欠压锁定（UVLO）保护、电平转换、自举二极管和输出驱动级。

• 驱动高端和低端两个N沟道MOSFET
• 集成用于高端栅极驱动的自举二极管
• 自举电源电压范围高达100 V
• 3 A源电流、6 A灌电流输出能力
• 驱动1 nF负载时，典型上升/下降时间为6 ns/4 ns
• TTL兼容输入阈值
• 宽电源电压范围8 V至16 V（绝对最大值18 V）
• 快速传播延迟时间（典型值30 ns）
• 2 ns延迟匹配（典型值）
• 驱动电压欠压锁定（UVLO）保护
• 行业标准引脚排列，带外露焊盘的SOIC 8封装
• 通过AEC - Q100汽车级认证：工作温度范围为 - 40℃至150℃；在150℃下可靠工作2016小时
• 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准

• 混合动力汽车/电动汽车用48 V转换器
• 半桥和全桥转换器
• 同步降压转换器