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CMF18N30
1个N沟道 耐压:300V 电流:14A
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- 描述
- 18N30采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在提供出色的RDS(ON)。这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF18N30
- 商品编号
- C5371877
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.812克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 290mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF |
商品概述
CMD4932采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于各种应用场景。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 汽车
- 直流电机控制
- D类放大器