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CMF11N60B
1个N沟道 耐压:600V 电流:11A
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- 描述
- 这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造。这项最新技术专门设计用于最小化导通电阻、提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF11N60B
- 商品编号
- C5371875
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 570mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
150N04是N沟道MOSFET，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，该器件适用于先进的高效开关应用。
商品特性
- 最小化输入电容和栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 低导通电阻
应用领域
- 电机控制-DC-DC转换器-开关应用