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CMD7N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:7A
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- 描述
- 7N60采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD7N60
- 商品编号
- C5371871
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.386克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET采用高单元密度沟槽工艺，以实现低导通电阻（rDS(on)），并确保将功率损耗和散热降至最低。该器件适用于PWM、负载开关和通用应用。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换器
- 功率开关应用