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CMD80P02
1个P沟道 耐压:20V 电流:80A
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- 描述
- P-Channel增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。该器件适用于用作负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD80P02
- 商品编号
- C5371873
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.378克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 510pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
75N04采用创新封装技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道增强型
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器-动力总成管理-螺线管和电机驱动器