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CMD80N06A
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- 80N06A采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于各种应用场景。80N06A符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD80N06A
- 商品编号
- C5371872
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
CMF12N40采用先进的平面条纹DMOS技术，可提供出色的RDS(ON)和卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源(SMPS)-逆变器