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STD80N340K6
耐压:800V 电流:12A
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- 描述
- 采用 DPAK 封装的 N 沟道 800 V、285 mOhm（典型值）、12 A MDmesh K6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD80N340K6
- 商品编号
- C5268654
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.588571克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 340mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 92W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款超高电压N沟道功率MOSFET采用基于20年超结技术经验的终极MDmesh K6技术设计。其成果是在需要卓越功率密度和高效率的应用中,实现了同类最佳的单位面积导通电阻和栅极电荷。
商品特性
- 最佳的导通电阻与面积乘积
- 最佳品质因数(FOM)
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 反激式转换器
- 平板电脑、笔记本电脑和一体式电脑的适配器
- LED照明