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STB43N60DM2
耐压:600V 电流:34A
- 描述
- N沟道600 V、0.085 Ohm典型值、34 A MDmesh DM2功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB43N60DM2
- 商品编号
- C5268671
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V,17A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 属于 MDmesh™ DM2 快速恢复二极管系列。它具有极低的反向恢复电荷Qrr和反向恢复时间 trr，同时导通电阻RDS(on) 较低，适用于要求极高的高效转换器，非常适合用于桥式拓扑和零电压开关 (ZVS) 移相转换器。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 低导通电阻
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 鲁棒性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用