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STF42N60M2-EP
1个N沟道 电流:34A
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- 描述
- N沟道600 V、0.076 Ohm典型值、34 A MDmesh M2 EP功率MOSFET，TO-220FP封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF42N60M2-EP
- 商品编号
- C5268709
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 76mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.37nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件在半桥拓扑中集成了两个MOSFET。ACEPACK SMIT是一款非常紧凑且坚固耐用的功率模块，采用表面贴装封装，便于组装。得益于直接键合铜（DBC）基板，ACEPACK SMIT封装具有低热阻，并配备隔离式顶部散热垫。该封装的高设计灵活性支持多种配置，可通过内部功率开关的不同组合实现半桥、升压和单开关电路。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容(COSS)特性
- 极低的关断开关损耗
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
- 专为甚高频转换器(f > 150 kHz)设计