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STD6N60M2
1个N沟道 耐压:600V 电流:4.5A
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- 描述
- N沟道600 V、1.06 Ohm典型值、4.5 A MDmesh M2功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD6N60M2
- 商品编号
- C5268731
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.544克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.06Ω@10V,2.25A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 232pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.7pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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