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STP15N60M2-EP
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
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- 描述
- N沟道600 V、0.340 Ohm典型值、11 A MDmesh M2 EP功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP15N60M2-EP
- 商品编号
- C5268734
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 378mΩ@10V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 590pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件是一款基于MDmesh M5创新垂直工艺技术并结合知名PowerMESH水平布局的N沟道功率MOSFET。由此生产的产品具有极低的导通电阻，特别适用于需要高功率和卓越效率的应用。
商品特性
- 更高的VDS额定值
- 更高的dv/dt能力
- 得益于额外的驱动源引脚，具备出色的开关性能
- 易于驱动
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- 高效开关应用-服务器-光伏逆变器-电信基础设施-多千瓦电池充电器