STP15N60M2-EP
1个N沟道 耐压:600V 电流:11A
描述
N沟道600 V、0.340 Ohm典型值、11 A MDmesh M2 EP功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STP15N60M2-EP商品编号
C5268734商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
2.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 378mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 590pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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10+￥6.656￥16.64
50+￥5.608￥14.02￥701
100+￥5.068￥12.67￥633.5
500+￥4.82￥12.05￥602.5
1000+￥4.708￥11.77￥588.5
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