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STFW69N65M5
1个N沟道 耐压:650V 电流:58A
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- 描述
- N沟道650 V、0.037 Ohm典型值、58 A MDmesh M5功率MOSFET，TO-3PF封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STFW69N65M5
- 商品编号
- C5268745
- 商品封装
- TO-3PF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.206克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 330W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 143nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.42nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
这款STripFET DeepGATE功率MOSFET技术是最新的改进成果之一，它采用全新的栅极结构，专门针对降低导通电阻进行了优化，具备卓越的开关性能。
商品特性
- 全球最佳的导通电阻(RDS(on))与面积乘积
- 更高的漏源极击穿电压(VDSS)额定值和高电压变化率(dv/dt)能力
- 出色的开关性能
- 100%雪崩测试
应用领域
-开关应用