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STFH24N60M2
1个N沟道 耐压:600V 电流:18A
- 描述
- N沟道600 V、0.168 Ohm典型值、18 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP宽沿面封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STFH24N60M2
- 商品编号
- C5268719
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件是采用MDmeshTM M2技术开发的N沟道功率MOSFET。得益于其条形布局和改进的垂直结构,该器件具有低导通电阻和优化的开关特性,适用于要求极高的高效转换器。 TO - 220FP宽爬电距离封装为功率MOSFET提供了增强的表面绝缘性能,可防止在污染环境中可能发生的电弧放电导致的故障。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容(Coss)特性
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
- 引脚间宽爬电距离达4.25 mm
应用领域
-开关应用-LLC转换器、谐振转换器