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STW56N60M2-4
1个N沟道 耐压:600V 电流:52A
- 描述
- N沟道600 V、0.045 Ohm典型值、52 A MDmesh M2功率MOSFET，TO247-4封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW56N60M2-4
- 商品编号
- C5268711
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 91nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些高压N沟道功率MOSFET属于MDmesh DM6快速恢复二极管系列。与上一代MDmesh快速恢复二极管相比，DM6结合了极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），并且单位面积的导通电阻（RDS(on)）有显著改善，同时具备市场上针对高要求的高效桥拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器最有效的开关性能之一。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容(Coss)特性
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
- 借助额外的驱动源极引脚,具备出色的开关性能
应用领域
-开关应用