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STP60N043DM9
1个N沟道 耐压:600V 电流:55A
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- 描述
- 采用 TO-220 封装的 N 沟道 600 V、38 mOhm（典型值）、56 A MDmesh DM9 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP60N043DM9
- 商品编号
- C5268705
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 245W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.675nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET基于最具创新性的超结MDmesh DM9技术,适用于中/高压MOSFET,具有单位面积极低的导通电阻RDS(on),并配备快速恢复二极管。基于硅的DM9技术得益于多漏极制造工艺,可实现更优化的器件结构。该快速恢复二极管具有极低的反向恢复电荷(Qrr)、恢复时间(trr)和导通电阻RDS(on),使这款快速开关超结功率MOSFET非常适合要求严苛的高效桥接拓扑和零电压开关(ZVS)移相转换器。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 低栅极电荷、输入电容和电阻
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt鲁棒性
应用领域
-电源和转换器-LLC谐振转换器