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STP60N043DM9
1个N沟道 耐压:600V 电流:56A
描述
采用 TO-220 封装的 N 沟道 600 V、38 mOhm（典型值）、56 A MDmesh DM9 功率 MOSFET
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STP60N043DM9商品编号
C5268705商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
3.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 43mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 245W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 78.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 4.675nF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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