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SH32N65DM6AG
耐压:650V 电流:32A
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- 描述
- 采用 ACEPACK SMIT 封装的汽车级 N 沟道 650 V、89 mOhm（典型值）、32 A MDmesh DM6 半桥拓扑功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SH32N65DM6AG
- 商品编号
- C5268689
- 商品封装
- SMD-9P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 89mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.25V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.211nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与上一代 MDmesh 产品相比，DM6 结合了极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），每单位面积的导通电阻（RDS(on)）显著降低，同时具备市场上针对高要求高效桥拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器的最有效的开关性能之一。
商品特性
- 通过AQG 324认证
- 半桥功率模块
- 650 V阻断电压
- 快速恢复体二极管
- 极低的开关能量
- 低封装电感
- 芯片采用直接键合铜(DBC)基板
- 低热阻
- 隔离等级为3.4 kV/rms/min
应用领域
-开关应用