温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STW70N60DM6
耐压:600V 电流:62A
- 描述
- N沟道600 V、36 mOhm典型值、62 A MDmesh DM6功率MOSFET，TO-247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW70N60DM6
- 商品编号
- C5268699
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 62A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 390W |
商品概述
G01P15LL采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比,单位面积导通电阻 (RDS(on)) 更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻低
- 经过100%雪崩测试
- 具备极高的dv/dt耐受能力
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用