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STI47N60DM6AG
1个N沟道 耐压:600V 电流:36A
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- 描述
- 汽车级N沟道600 V、70 mOhm典型值、36 A MDmesh DM6功率MOSFET，I2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STI47N60DM6AG
- 商品编号
- C5268690
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmeshTM DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与上一代 MDmesh 产品相比,DM6 结合了极低的反向恢复电荷 (Qrr)、恢复时间 (trr) 以及单位面积导通电阻RDS(ON)的显著改善,具备市场上针对要求严苛的高效桥接拓扑和零电压开关(ZVS)移相转换器的最有效的开关性能之一。
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比,单位面积导通电阻 (RDS(on)) 更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻均较低
- 经过 100% 雪崩测试
- 具备极高的 dv/dt 抗扰度
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用