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STI47N60DM6AG
1个N沟道 耐压:600V 电流:36A
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- 描述
- 汽车级N沟道600 V、70 mOhm典型值、36 A MDmesh DM6功率MOSFET，I2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STI47N60DM6AG
- 商品编号
- C5268690
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
全新 MDmesh™ M6 技术融合了近期对知名且成熟的 MDmesh 超结（SJ）MOSFET 系列的改进成果。 意法半导体（STMicroelectronics）通过其新的 M6 技术，在 MDmesh 前代产品的基础上进行了升级。该技术不仅显著改善了单位面积的导通状态漏源电阻（RDS(on)），还具备出色的开关性能，为用户带来便捷体验，从而最大限度地提高终端应用的效率。
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比,单位面积导通电阻 (RDS(on)) 更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻均较低
- 经过 100% 雪崩测试
- 具备极高的 dv/dt 抗扰度
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用