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STD9N65DM6AG
N沟道 耐压:650V 电流:9A
- 描述
- 采用 DPAK 封装的汽车级 N 沟道 650 V、365 mOhm（典型值）、9 A MDmesh DM6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD9N65DM6AG
- 商品编号
- C5268693
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.564克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 440mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.4pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 36pF |
商品概述
这些器件为采用MDmesh™ M2 EP增强性能技术开发的N沟道功率MOSFET。得益于其条形布局和改进的垂直结构，这些器件呈现出低导通电阻和优化的开关特性，且关断开关损耗极低，使其适用于要求极高的甚高频转换器。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比,每单位面积的导通电阻(RDS(on))更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻低
- 100%经过雪崩测试
- 极高的dv/dt耐受能力
- 齐纳二极管保护
应用领域
- 开关应用