温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STD9N65DM6AG
N沟道 耐压:650V 电流:9A
- 描述
- 采用 DPAK 封装的汽车级 N 沟道 650 V、365 mOhm（典型值）、9 A MDmesh DM6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD9N65DM6AG
- 商品编号
- C5268693
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.564克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 440mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.4pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 36pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单