温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STWA65N60DM6
1个N沟道 耐压:600V 电流:46A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道600 V、60 mOhm典型值、38 A MDmesh DM6功率MOSFET，TO-247长引线封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STWA65N60DM6
- 商品编号
- C5268684
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 71mΩ@10V,23A | |
| 耗散功率(Pd) | 368W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.25V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款高压N沟道功率MOSFET属于MDmesh DM2快速恢复二极管系列。它具有极低的恢复电荷（Qrr）和恢复时间（trr），同时导通电阻（RDS(on)）较低，适用于要求极高的高效转换器，也是桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器的理想选择。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt鲁棒性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用