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STWA65N60DM6
1个N沟道 耐压:600V 电流:46A
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- 描述
- N沟道600 V、60 mOhm典型值、38 A MDmesh DM6功率MOSFET，TO-247长引线封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STWA65N60DM6
- 商品编号
- C5268684
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 71mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 368W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.25V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些高压N沟道功率MOSFET属于MDmesh DM6快速恢复二极管系列。与上一代MDmesh快速恢复二极管相比,DM6结合了极低的恢复电荷(Qrr)、恢复时间(trr),并且单位面积的导通电阻(RDS(on))有显著改善,同时具备市场上针对高要求的高效桥拓扑和零电压开关(ZVS)移相转换器最有效的开关性能之一。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 与上一代相比,单位面积的导通电阻(RDS(on))更低
- 低栅极电荷、输入电容和电阻
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt鲁棒性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用