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SH68N65DM6AG
耐压:650V 电流:64A
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- 描述
- 采用 ACEPACK SMIT 封装的汽车级 N 沟道 650 V、35 mOhm（典型值）、64 A MDmesh DM6 半桥拓扑功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SH68N65DM6AG
- 商品编号
- C5268686
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 11.85克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 64A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 379W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.25V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.6pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 半桥 |
商品概述
该器件采用半桥拓扑结构,集成了两个MOSFET。ACEPACK SMIT是一款极为紧凑且坚固耐用的功率模块,采用表面贴装封装,便于组装。得益于直接键合铜(DBC)基板,ACEPACK SMIT封装具有低热阻,并配备了隔离的顶部散热垫。该封装高度灵活的设计支持多种配置,通过内部功率开关的不同组合,可实现半桥臂、升压电路和单开关电路等。
商品特性
- 通过AQG 324认证
- 半桥功率模块
- 650 V阻断电压
- 快速恢复体二极管
- 极低的开关能量
- 低封装电感
- 芯片置于直接键合铜(DBC)基板上
- 低热阻
- 隔离等级为3.4 kVrms/min
应用领域
-开关应用