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STF35N65DM2
1个N沟道 耐压:650V 电流:32A
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- 描述
- N沟道650 V、0.094 Ohm典型值、28 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-220FP封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF35N65DM2
- 商品编号
- C5268673
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.62克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V,16A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.3nC@520V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.54nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款超高电压N沟道功率MOSFET采用基于20年超结技术经验的终极MDmesh K6技术设计。其成果是在需要卓越功率密度和高效率的应用中，实现了同类最佳的单位面积导通电阻和栅极电荷。
商品特性
- 最佳的导通电阻与面积乘积
- 最佳品质因数（FOM）
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 反激式转换器
- 平板电脑、笔记本电脑和一体式电脑的适配器
- LED照明