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STD80N3LL
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- N沟道30 V、2 mOhm典型值、120 A STripFET H6功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD80N3LL
- 商品编号
- C5268664
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.64nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款超高压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计。其成果是显著降低导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 极低的导通电阻
- 极低的栅极电荷
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用