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STD155N3LH6
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
- 描述
- N沟道30 V、0.0024 Ohm、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD155N3LH6
- 商品编号
- C5268665
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.478克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
这些器件是采用第六代STripFET DeepGATE技术开发的N沟道功率MOSFET,具有全新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均展现出最低的导通电阻(RDS(on))。
商品特性
- 电流受封装限制
- 100%雪崩测试
- 逻辑电平驱动
应用领域
- 开关应用
- 汽车领域