STB35N65DM2
1个N沟道 耐压:650V 电流:32A
描述
N沟道650 V、0.094 Ohm典型值、28 A MDmesh DM2功率MOSFET,TO-247封装
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STB35N65DM2商品编号
C5268669商品封装
D2PAK包装方式
编带
商品毛重
0.22克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
连续漏极电流(Id) | 32A | |
导通电阻(RDS(on)) | 93mΩ@10V,16A | |
耗散功率(Pd) | 250W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
栅极电荷量(Qg) | 56.3nC@520V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.54nF@100V | |
反向传输电容(Crss) | 2.5pF@100V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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