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STP80N450K6
1个N沟道 耐压:800V 电流:10A
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- 描述
- 采用 TO-220 封装的 N 沟道 800 V、380 mOhm（典型值）、10 A MDmesh K6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP80N450K6
- 商品编号
- C5268656
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.748克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V,5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF@400V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
这款超高电压N沟道功率MOSFET采用基于创新专有垂直结构的MDmesh K5技术设计。其成果是显著降低导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 业界最低的导通电阻与面积乘积
- 业界最佳的品质因数（FoM）
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用