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STD80N240K6
1个N沟道 耐压:800V 电流:16A
- 描述
- 采用 DPAK 封装的 N 沟道 800 V、197 mOhm（典型值）、16 A MDmesh K6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD80N240K6
- 商品编号
- C5268658
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 197mΩ@10V,7A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 105W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款超高电压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计。其成果是显著降低导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于要求卓越功率密度和高效率的应用。
商品特性
- 业界最低的 RDS(on) x 面积
- 业界最佳的品质因数 (FoM)
- 超低栅极电荷
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用