温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STB200NF03T4
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
- 描述
- N沟道30V - 0.0032 OHM 120A D2PAK STRIPFET II功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB200NF03T4
- 商品编号
- C5268662
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.711111克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.95nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用意法半导体(STMicroelectronics)独特的“单特征尺寸TM”条形工艺,是该工艺的最新成果。由此制成的晶体管具有极高的封装密度,可实现低导通电阻、出色的雪崩特性,且对准步骤要求较低,因此具备卓越的制造可重复性。
商品特性
- 电流受封装限制
- 标准阈值驱动
- 100%经过雪崩测试
应用领域
-开关应用